FDS6673BZ-F085
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onsemi FDS6673BZ-F085
| Artikelnummer: | FDS6673BZ-F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
onsemi FDS6673BZ-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDS6673BZ-F085.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 14.5A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.5A (Ta) Grundproduktnummer FDS66 FDS6673BZ-F085 Einzelheiten PDF [English] FDS6673BZ-F085 PDF - EN.pdf -
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